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在当代智能电网背景下要求电能的分配具有智能化、合理化和经济化的优势的前提下,针对当前能源资源的损耗短缺与可再生新能源发电......
电力电子技术的发展对变换器的小型化、轻量化、高效化给予了更高的期望。高开关频率高电压等级是电力电子器件发展的必然趋势,而S......
由于寄生参数的影响，SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象，在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通，影响变......
随着第三代宽禁带半导体行业的飞速发展,SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域,相比于普通的Si半导体功率器件,其具有耐高温,耐高......
学位
轨道角动量（Orbital Angular Momentum,OAM）的多路复用通信可以增大信道传输容量,但是由于受大气信道的影响,传输过程中会破坏OAM模......
近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......
VDSL2是消除接入网“最后一公里”与全球范围部署三重播放业务,以及逐步过渡FTTH最经济、最理想的接入方式,具有广泛的应用价值与......
本文首先回顾硅基光子学的发展现状,介绍了无源器件和有源器件的发展。一直以来,波导集成度因串扰影响而难以进一步提升,这种影响......
随着半导体技术的不断发展,互连和功耗问题制约了芯片尺寸的缩小。基于TSV的三维集成电路结构可以提供高密度的连接和高速率的传输......
电磁干扰的预测方法和抑制手段已成为电磁兼容方面研究的重点。预测外施电磁场对传输线的电磁干扰时，传统的测试需要高昂的试验成本......
随着电子信息技术的飞速发展,高速集成电路的应用范围越来越广泛,高速电路设计在整个电路设计领域中所占的比例也越来越大。由于系......
串扰抑制编码往往具有图形限制特性,在小规模硅通孔(through silicon via, TSV)阵列中应用时,可以在合理的编解码器面积开销下取得......
